只读型存储器（rom）是存储器中结构最简单的一种，它存储的信息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息，所以称为只读存储器。只读存储器常用于存储数字系统及计算机中不需改写的数据，如数据转换表及计算机操作系统程序等。rom存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。
rom一般需要由专用装置写入数据。按数据写入方式特点不同，rom可分为以下几种。
（1）固定rom。也称掩膜rom，这种rom在制造时，厂家利用掩膜技术直接把数据写入存储器中，rom制成后，其存储的数据也就固定不变了，用户对这类芯片无法进行任何修改。
（2）一次性可编程rom(prom)。prom在出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要，利用编程器将某些单元改为0（或）1。prom一旦进行了编程，就不能再修改了。
（3）光可擦出可编程rom(eprom)。eprom是采用浮栅技术产生的可编程存储器，它的存储单元可多采用n沟道叠栅mos管，信息的存储是通过mos管上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入的过程。编程结束后，尽管撤出了电源，但是，由于绝缘层的包围，注入到浮栅上的电荷无法泄露，因此电荷分布维持不变，eprom也就成为非易失性存储器件了。
当外部能源（如紫外线光源）加到eprom上时，eprom内部的电荷分布才会被破坏，此时聚集在mos管浮栅上的电荷在紫外线照射下形成光电流被泄露掉，使电路恢复到初始状态，从而擦出了所有写入的信息。这样eprom又可以写入新的信息。
（4）电可擦除可编程rom(e2prom)。e2prom也是采用浮栅技术生产的可编程rom,但是构成其存储单元的是隧道mos管，隧道mos管也是利用浮栅是否存有电荷来存储二值数据的，不同的是隧道mos管是用电擦除的，并且擦除的速度要快得多（一般为ms数量级）。
e2prom的电擦除过程就是改写过程。它具有rom的非易失性，又具备类似ram的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。目前大多数e2prom芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。
（5）快闪存储器（flash memory）。快闪存储器的存储单元也是采用浮栅型mos管，存储器中数据的擦除和写入时分开进行的，数据写入方式与eprom相同，需要输入一个较高的电压，因此要为芯片提供两组电源。一个字的写入时间约为200μs，一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。