从结构上看，n沟道耗尽型mos管与n沟道增强型mos管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压vgs=0时，耗尽型mos管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型mos管要在vgs≥vt时才出现导电沟道。原因是制造n沟道耗尽型mos管时，在sio2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子na+或k+(制造p沟道耗尽型mos管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vgs=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的p型衬底表面也能感应生成n沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vds，就有电流id。如果加上正的vgs，栅极与n沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，id增大。反之vgs为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，id减小。当vgs负向增加到某一数值时，导电沟道消失，id趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，仍用vp表示。与n沟道结型场效应管相同，n沟道耗尽型mos管的夹断电压vp也为负值，但是，前者只能在vgs<0的情况下工作。而后者在vgs=0，vgs>0，vp<vgs<0的情况下均能实现对id的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型mos管的一个重要特点。
图1(b)、(c)分别是n沟道和p沟道耗尽型mos管的代表符号。
在饱和区内，耗尽型mos管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即