本文主要介绍简要说明ram和rom的主要区别(ram和rom各有什么特点)，下面一起看看简要说明ram和rom的主要区别(ram和rom各有什么特点)相关资讯。
说起ram，相信大家都略知一二，但是你知道各种ram的原理和区别吗？
一.导言
在计算机的结构中，有一个非常重要的部分，那就是内存。内存是用来存储程序和数据的部件。对于电脑来说，只有有了内存，才有记忆功能，才能保证正常工作。
存储器有很多种，按用途可分为主存储器和辅助存储器。主存简称内存，内存在计算机中起着重要的作用。通常，使用半导体存储单元。因为ram是最重要的内存，所以我们通常直接称之为内存。
内存是存储程序和数据的地方。例如，当我们使用wps处理文档时，当你在键盘上键入字符时，它会存储在内存中。当您选择保存磁盘时，内存中的数据将被存储到硬盘中。
第二，关于ram
随机存取存储器。ram也叫内存，与rom相比，两者最大的区别在于，ram中存储的数据在断电后会自动消失，而rom不会自动消失，因此可以在不断电的情况下保存很长时间。
3、对静电敏感
像其他精细集成电路一样，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰内存中电容的充电，造成数据丢失，甚至烧坏电路。因此，在触摸风筒之前，应该用手触摸金属地面。
4.存取速率
现代随机存取存储器的读写速度几乎是所有存取设备中最快的，存取延迟与其他涉及机械操作的存储设备相比微不足道。
5.需要刷新
现代随机存取存储器依靠电容器来存储数据。充满电的电容代表1，未充电的电容代表0。因为电容或多或少会漏电，如果不做特殊处理，随着时间的推移，数据会逐渐丢失。
刷新就是在指定的周期内读取电容的状态，然后按照原来的状态复位到sram)
静态存储单元是在静态触发器的基础上增加门控制而形成的。因此，它通过触发器的自我保护功能来存储数据。我们通常可以在一些开发板上看到它，比如issi芯片。
2.动态随机存取存储器
动态ram的存储矩阵由动态mos存储单元组成。动态mos存储单元利用mos管的栅电容来存储信息，但由于栅电容的容量很小，漏电流不可能绝对等于0，所以电荷的存储时间有限。
为了避免存储信息的丢失，需要定期给电容补充泄漏的电荷。这种操作通常被称为 刷新 or 再生 ，所以dram内部应该有刷新控制电路，其操作比静态ram更复杂。
然而，由于dram存储列表元结构可以做得非常简单，元器件少，功耗低，已经成为大容量ram的主流产品。
第四，关于sdram
看到这里，有些读者可能会想:sdram = sram dram，这其实是错误的。sdram:同步动态随机存取存储器。sdram是具有同步接口的动态随机存取存储器(dram)。
同步是指内存需要一个同步时钟，内部命令的发送和数据的传输都是基于它；动态意味着存储阵列需要不断刷新，以确保数据不丢失；随机是指数据不是按线性顺序存储，而是按指定地址读写。
目前168线64位带宽存储器基本采用sdram芯片，工作电压3.3v，存取速度高达7.5ns，而最快的edo存储器为15ns。ram和cpu控制在同一时钟频率，使ram和cpu的外部频率同步，取消了等待时间，所以其传输速率比edo dram快。
sdram从发展至今已经经历了五代，即第一代sdr sdram、第二代ddr sdram、第三代ddr2 sdram、第四代ddr3 sdram、第五代ddr4 sdram。
第一代sdram采用单端时钟信号，第二、三、四代由于工作频率更快，采用差分时钟信号作为同步时钟来减少干扰。
五、sram的区别静态随机存取存储器，主要依靠触发器存储数据，不需要刷新。而dram则是一种动态随机存取存储器，依靠mosfet中的栅极电容来存储数据，需要不断刷新来补充放电的电荷。
因为单管可以实现数据存储，所以集成度可以更高，功耗更低，更主流。需要注意的是，dram的存取速度没有sram快，因为刷新涉及到电容的充放电过程。
至于sdram，它是同步动态随机存取存储器，属于dram的一种，工作过程需要同步时钟的配合。因此，可以忽略不同路径延误的影响，避免不确定性。普通dram属于异步传输。当访问数据时，它必须等待几个时钟才能运行(考虑到不确定状态)，因为这样会花费更多的时间，影响数据传输速率。随着时钟频率的不断提高，这种瓶颈会越来越明显，sdram的优势会更加体现出来。
(部分内容来源于网络)
欢迎关注小何工程师。如果你觉得这篇文章有点用，可以点击 … 在右上角扩散到你的朋友圈~ ~ ~
了解更多简要说明ram和rom的主要区别(ram和rom各有什么特点)相关内容请关注本站点。