发展微电子封装技术，旨在使系统向小型化、高性能、高可靠性和低成本目标努力，从技术发展观点来看，作为微电子封装的关键技术主要有：tcp、bga、fct、csp、mcm和三维封装。
1、带载封装
带载封装（tcp），是在形成连接布线的带状绝缘带上搭载lsi裸芯片，并与引线连接的封装。与qfp相比，tcp的引线间距可以做得更窄，而且外形可以做得更薄，因此，tcp是比qfp更薄型的高密度封装，它在pcb板上占据很小的面积，可以用于高i/o数的asic和微处理器。
2、栅阵列封装
栅阵列封装（bga），是表面安装型封装的一种，在印刷电路基板的背面，二维阵列布置球形焊盘，而不采用引线针脚。在印刷电路板的正面搭载lse芯片，用模注和浇注树脂封接，可超过200针，属于多针的lsi用封装。封装体的大小也比qfp小。而且bga不像qfp，不用担心引线的变形。
3、倒装芯片技术
倒装芯片技术（fct），是将芯片有源区面对基板，通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点来实现芯片与衬底的互连。这种方式能提供更高的i/o密度。它的主要优点是：①外形减小尺寸。②提高电性能。③高的i/o密度。④良好散热性。⑤改善疲劳寿命，提高可靠性。⑥裸芯片的可测试性。
4、芯片规模封装
芯片规模封装（csp），主要有适用于储存器的少引脚csp和适用于asci的多引脚csp，具体为芯片上引线（loc）、微型球栅阵列（mba）和面阵列（lga）。它的主要优点是：容易测定和老化，易于一次回流焊接等安装以及操作简便。
5、多芯片模式
多芯片模式（mcm），是指多个半导体裸芯片表面安装在同一块布线基板上。按基板材料不同，分为mcm-l、mcm-c、mcm-d三大类。
①mcm-l是指用通常玻璃、环氧树脂制作多层印刷电路基板的模式。布线密度高而价格较低。
②mcm-c通过厚膜技术形成多层布线陶瓷，滨海高以此作为基板。布线密度比mcm-l高。
③mcm-d通过薄膜技术形成多层布线陶瓷或者直接采用si、al作为基板，布线密度最高，价格也高。
6、三维（3d）封装
三维封装，即是向空间发展的微电子组装的高密度化。它不但使用组装密度更高，也使其功能更多、传输速度更高、功耗更低、性能及可靠性更好等。