1. jfet的结构和符号
n沟道jfet p沟道jfet
2. 工作原理（以n沟道jfet为例）
n沟道jfet工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压——vgs< 0，在d-s间加一个正电压—— vds>0.
栅极—沟道间的pn结反偏，栅极电流ig»0，栅极输入电阻很高（高达107w以上）。
n沟道中的多子（电子）由s向d运动，形成漏极电流id。id的大小取决于vds的大小和沟道电阻。改变vgs可改变沟道电阻，从而改变id 。
主要讨论vgs对id的控制作用以及vds对id的影响。
①栅源电压vgs对id的控制作用
当vgs＜0时，pn结反偏，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，id减小；vgs更负时，沟道更窄，id更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断， id≈0。这时所对应的栅源电压vgs称为夹断电压vp。
②漏源电压vds对id的影响
在栅源间加电压vgs ＜ 0 ，漏源间加正电压vds > 0。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为vgd=vgs-vds，比源端耗尽层所受的反偏电压vgs大,(如:vgs=-2v, vds =3v, vp=-9v,则漏端耗尽层受反偏电压为vgd=-5v，源端耗尽层受反偏电压为-2v),使靠近漏端的耗尽层比源端宽，沟道比源端窄，故vds对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。
当vds增加到使vgd=vgs-vds =vp 时，耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。
当vds继续增加时，预夹断点下移，夹断区向源极方向延伸。由于夹断处电阻很大，使vds主要降落在该区，产生强电场力把未夹断区的载流子都拉至漏极，形成漏极电流id。预夹断后id基本不随vds增大而变化。
① vgs对沟道的控制作用
当vgs＜0时，pn结反偏®耗尽层加厚®沟道变窄。 vgs继续减小，沟道继续变窄。当沟道夹断时，对应的栅源电压vgs称为夹断电压vp （ 或vgs(off) ）。对于n沟道的jfet，vp <0。
② vds对沟道的控制作用
当vgs=0时，vds ® id , g、d间pn结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。
当vds增加到使vgd=vp 时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vds ®夹断区延长®沟道电阻®id基本不变。
③ vgs和vds同时作用时
当vp <vgs<0 时，导电沟道更容易夹断，对于同样的vds ， id的值比vgs=0时的值要小。在预夹断处, vgd=vgs-vds =vp (或vds=vgs - vp).
综上分析可知
l 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。
l jfet栅极与沟道间的pn结是反向偏置的，因此ig»0，输入电阻很高。
l jfet是电压控制电流器件，id受vgs控制。
l 预夹断前id与vds呈近似线性关系；预夹断后，id趋于饱和。