半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。 1．直流参数
（1）直流电流放大系数
① 共发射极直流电流放大系数
（1）
在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于x轴的直线(vce＝const)来求取ic / ib ，如图1所示。在ic较小时和ic较大时，会有所减小，这一关系见图2。
图 1 在输出特性曲线上决定
图2 值与ic的关系
② 共基极直流电流放大系数
（2）
图3 iceo在输出特性曲线上的位置
显然与之间有如下关系
（3）
（2）极间反向电流
① 集电极-基极间反向饱和电流icbo
icbo的下标cb代表集电极和基极，o是open的字头，代表第三个电极e开路。它相当于集电结的反向饱和电流。
② 集电极-发射极间的反向饱和电流iceo：iceo和icbo有如下关系
iceo＝（1＋β ）icbo （4）
相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线ib＝0那条曲线所对应的y坐标的数值，如图3所示。集电极-发射极间的反向饱和电流又称穿透电流。
2．交流参数
（1）交流电流放大系数
① 共发射极交流电流放大系数b
β＝△ic/△ib|vce=const （5）
在放大区， b值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于x轴的直线求取△ic/△ib。或在图2上通过求某一点的斜率得到b。具体方法如图4所示。
图4 在输出特性曲线上求取β
② 共基极交流电流放大系数α
α＝△ic/△ie （6）
当icbo和iceo很小时， α≈α、 β≈β，可以不加区分。
（2）特征频率ft
三极管的β值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的β将会下降。当β下降到1时所对应的频率称为特征频率，用ft表示。
3．极限参数
（1）集电极最大允许电流icm
如图1.4.9所示，当集电极电流增加时，β就要下降，当β值下降到线性放大区β值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流icm。至于β值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当ic＞icm时，并不表示三极管会损坏。
（2）集电极最大允许功率损耗pc
集电极电流通过集电结时所产生的功耗， pcm＝ icvcb≈icvce，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用vce取代vcb。
（3）反向击穿电压
反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图5所示。
图5 三极管击穿电压的测试电路
图6 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
① v(br)cbo--发射极开路时的集电结击穿电压。下标br代表击穿之意，是breakdown的字头,c、b代表集电极和基极,o代表第三个电极e开路。
② v(br)ebo--集电极开路时发射结的击穿电压。
③ v(br)ceo--基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
对于v(br)cer表示be间接有电阻，v(br)ces表示be间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：
v(br)cbo≈v(br)ces＞v(br)cer＞v(br)ceo＞v(br)ebo
由最大集电极功率损耗pcm、icm和击穿电压v(br)ceo，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图6。