只读存储器（rom）的信息在制造时或通过一定的编程方法写入，在系统中通常只能读出不能写入。在断电时，其信息不会丢失，它用来存放固定的程序及数据，如监控程序、数据表格等。
只读存储器可以分为掩膜式rom、一次性编程prom、可重复编程的则有光擦除的eprom、e2prom及flash memory 等。
掩膜式rom也称固定rom。它是由半导体生产厂根据用户的要求，在生产过程中根据用户提供的程序或数据制造。制成之后，用户只能读出其信息而不能加以修改。它适用于定型产品的批量生产。
一次性编程prom可供用户通过编程器写入一次程序或数据。写入以后其内容不允许修改。这样用户可自行将无须修改的程序或数据写入 rom，如写入后发现其内容还需修改，只能将此芯片报废，重新取用一片新的。它适用于批量较小的场合。
eprom是一种利用光擦除的能够重复擦、写的只读存储器。用户可通过编程器写入程序。当需要修改时，可用紫外光通过芯片上的石英玻璃窗照射芯片15～20分钟，将芯片内的信息全部擦除。此时所有单元的内容均为1。用户可将其再次写入信息。eprom使用比较灵活，当用户写入一程序后发现部分数据需修改时，可以将其内容擦去后再次写入。它在科研及小批量生产过程中使用较普遍。
eprom的擦或写均需专用设备。即使要修改一个数据也必须将芯片从系统中拆下，把信息全部擦除后再次重新写入。而在实际使用中，往往只要求修改一个或少数几个数据。eeprom和flash memory在这方面显示了其优越性，是目前用得较多的大容量只读存储器。与光擦除的eprom不同的是，它采用了电擦除的方式，而编程也无须通过专用的编程器进行，可在应用系统中直接编程。在写入的同时即擦除了原有的信息，通常在器件的内部产生编程所需的高电压，用户只需5v的电压即可对其进行操作。
e2prom的数据读出类似于静态ram（sram）的数据读出，数据写入分为字节写入和页写入两种模式。在器件内包含了一个64字节的页寄存器，允许最多写入64个字节（一页）的数据。写入操作包括数据锁存和编程2个过程，写周期最大为10ms。在写入操作的同时，原先的数据即被擦除。
flash memory的数据读出类似于静态ram（sram）的数据读出。数据写入为页写入模式。在器件内包含了一个64字节的页寄存器，要求一次写入64个字节（一页）的数据，写入操作包括数据锁存和编程2个过程，写周期最大为10ms。在编程时，一页中未装入的数据将为不确定数据。在写入操作的同时，原先的数据即被擦除。