应用于研究监测土壤的力学结构变化, 一般用于山体, 岩石和冻土等环境研究的物理量传感器 mems, 这种传感器的制造一般需要经过镀膜, 沉积, 刻蚀等工艺多次循环, 金 au 和 铂 pt 是传感器加工中常用的涂层, 在完成镀膜后, 蚀刻是制造微型结构的重要工艺之一, 用传统的刻蚀工艺 ( 湿法刻蚀, icp 刻蚀和 rie 刻蚀) 常常无法有效的刻蚀出所需的图形.
上海伯东日本进口离子束刻蚀机 ibe 可以很好的解决传感器 mems 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.
上海伯东离子束刻蚀机物理量传感器 mems 刻蚀方案.
刻蚀材料: 4寸 物理量传感器 mems (表面镀 金 au 和 铂 pt)
刻蚀均匀性要求: ≤±5%
刻蚀难点: au 和 pt 反应离子刻蚀 rie 无法满足要求
刻蚀设备: 10 ibe
因客户信息保密, 10 ibe 部分刻蚀数据结果如下:
离子束刻蚀机 10 ibe 主要技术参数:
基板尺寸
4寸
图片仅供参考
样品台
干式橡胶卡盘+直接冷却（水冷）+0-±90 度旋转
离子源
考夫曼源 well-2100（栅网φ100mm）
均匀性
≤5%（4寸 si晶圆）
刻蚀速率
20nm/min （si 晶圆）
真空度
1e-3pa（45min内）
真空系统
干泵 + 德国 pfeiffer 分子泵
上海伯东日本进口离子束刻蚀机推荐应用:
类别
器件
刻蚀材料
磁性器件
自旋电子: mr / amr / gmr / tmr, mram, hdd
ni-fe, ni-co, tio2, bst, co-fe, ta, cu, ni-mo, sio2 等等…
传感器 mems
铂热电阻, 流量计, 红外传感器, 压电打印机头等
pt, pzt, au, pt, w, ta (electrode) 等等…
rf 射频器件
射频滤波器, gaas / gan hemt 等
au, pt, ti, ru, cr, ln (linbo3) 等
光电子
激光二极管, 光电探测器, 薄膜分装等
au, pt, ti, tan, gan 等
其他
探针卡, 薄膜片式电阻器, 氧化物, 超导等
nicr, cr, cu, pd, ir, lufe2o4, srtio4, mgohfo2 等
上海伯东日本原装设计制造离子刻蚀机 ibe, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 au, 铂 pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 rie 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 pfeiffer 涡轮分子泵和美国 kri 考夫曼离子源!
伯东公司超过 50年的刻蚀 ibe 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!
若您需要进一步的了解离子束蚀刻机详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗小姐