绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效应管，简称mos管。
mos管按工作方式分类:
增强型mos管:n 沟道, p沟道
耗尽型mos管:n 沟道, p沟道
（一）n沟道增强型mos管的结构和工作原理
1.结构和符号:
2.工作原理
绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小。
（1）感生沟道的形成：栅极和源极之间加正向电压
① 在电场的作用下，可以把p型衬底表面层中多数载流子空穴全部排斥掉，形成空间电荷区。
② 当ugs增加到某一临界电压(ut)值时，吸引足够多的电子，在p型半导体的表面附近感应出一个n型层,形成反型层—-漏源之间的导电沟道。开始形成反型层的ugs称为开启电压(ut)。
ugs越高，电场越强，感应的电子越多，沟道就越宽。
（2）栅源电压ugs对漏极电流id的控制作用
在栅源电压ugs=0时，没有导电沟道。增大vgg，使ugs=ut时形成导电沟道。
ugs对id的控制作用：
ugs变大
id变大
沟道宽度变宽
沟道电阻变小
（3）漏源电压uds对漏极电流id的影响
当uds较小，即ugd>>ut时，沟道宽度受uds的影响很小，沟道电阻近似不变，id随uds的增加呈线性增加。
当uds增大时，沟道各点与栅极间电压不等，使沟道从源极向漏极逐渐变窄。随着uds增大，沟道电阻迅速增大，id不再随uds线性增大。
继续增大uds ，则ugd <ut，夹断区增加，增加的uds电压几乎全部降落在夹断区上，所以uds虽然增加而电流基本上是恒定的。
（二）n沟道增强型mos管的特性曲线
1.输出特性
输出特性是指ugs为一固定值时，id与uds之间的关系，即
（1）可变电阻区（非饱和区）
ⅰ区对应预夹断前，ugs>ut，uds很小，ugd>ut的情况。
（2）恒流区（饱和区）
ⅱ区对应 预夹断后，ugs>ut，uds很大，ugd<ut的情况。
（3）截止区
该区对应于ugs≤ut的情况
2.转移特性
转移特性是指uds为固定值时，id与ugs之间的关系，即
特点：当fet工作在恒流区，不同uds的转移特性曲线基本接近。
（ugs>ut）
（三）n沟道增强型mos管的主要参数
1.直流参数
（1）开启电压ut：在衬底表面感生出导电沟道所需的栅源电压。实际上是在规定的uds条件下，增大ugs，当id达到规定的数值时所需要的ugs值。
（2）直流输入电阻rgs：在uds=0的条件下，栅极与源极之间加一定直流电压时，栅源极间的直流电阻。
2.交流参数
（1）跨导gm
（2）极间电容：栅、源极间电容cgs和栅、漏极间电容cgd，它影响高频性能的交流参数，应越小越好。
3.极限参数
（1）漏极最大允许电流idm
是指场效应管工作时，允许的最大漏极电流。
（2）漏极最大耗散功率pdm
是指管子允许的最大耗散功率，相当于双极型晶体管的pcm。
（3）栅源极间击穿电压u(br)gs
是指在uds=0时，栅源极间绝缘层发生击穿，产生很大的短路电流所需的ugs值。击穿将会损坏管子。
（4）漏源极间击穿电压u(br)ds
是指在uds增大时，使id开始急剧增加的uds值。此时不仅产生沟道中的电子参与导电，空间电荷区也发生击穿，使电流增大。
（四）n沟道耗尽型mos管
1.工作原理
sio2绝缘层中掺入大量的正离子。在ugs=0时，p衬底表面已经出现反型层，存在导电沟道。
当ugs>0时感生沟道加宽，id增大。
当ugs<0时感生沟道变窄，id减小。
当ugs达到某一负电压值up时，抵消了由正离子产生的电场，导电沟道消失，id≈0，up称为夹断电压。
2.特性曲线
3.主要参数
（1）夹断电压up：是指导电沟道完全夹断时所需的栅源电压。
（2）零偏漏极电流idss：该电流为uds在恒流区范围内，且ugs=0v时的id值，亦称饱和漏极电流。