富士igbt的开通过程，富士igbt在开通过程中，分为几段时间，与mosfet类似的开通过程，也是分为三段的充电时间。只是在漏源ds电压下降过程后期，pnp晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。除了这两个时间以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=ton-tr.i.在关断过程，在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。段是按照mos管关断的特性的，第二段是在mosfet关断后，pnp晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极电流较长的尾部时间。 富士igbt安装方法及注意事项，在保存和携带igbt模块过程中，务必不要取下门极用于防静电的短路金属环或短路导电海绵。在安装过程中，不要触摸驱动端子部分。连接门极信号线时，不要用手直接触摸信号线和门极的导电部分。必须要触摸端子时，需先消除身体静电再进行操作。先把安装模块的散热器表面清理干净，否则会造成模块散热不良，严重时会引起模块损坏。在散热器和富士igbt的安装面之间涂抹导热硅脂，要均匀，不要追求越厚导电效果越好。
富士igbt正是作为顺应这种要求而开发的，它是由mosfet(输入级)和pnp晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应)又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内。基于这些优异的特性，igbt一直广泛使用在超过300v电压的应用中，模块化的igbt可以满足更高的电流传导要求，其应用领域不断提高，今后将有更大的发展。
安装富士igbt时必须紧固均匀，力矩不足会影响散热，力矩过大会造成模块损坏。模块接线必须确认正确无误后再通电，否则会造成模块损坏。是电压信号控制开通关断的功率器件，有其特殊的电气特性。栅极与任何导电区要绝缘，以免产生静电而击穿，所以包装时将g极和e极之间要有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触，直到g极管脚进行连接。主电路用螺丝拧紧，控制极g要用插件，尽可能不用焊接方式。装卸时应采用接地工作台，接地地面，接地腕带等防静电措施。仪器测量时，将100ω电阻与g极串联，要在无通电状态下进行安装。