相关寄存器
外部存储器控制器包含4个寄存器，它们分别对应一个存储器组。通过这些寄存器，可以分别设置每个存储器组读写访问之间插入的等待周期个数、每个存储器组的总线宽度等。
存储器组配置寄存器0～3（bcfg0～3）：
idcy：在两个存储器组之间切换访问时，为了避免器件间的总线竞争，需要插入空闲的cclk周期，该域控制着这个周期数。
计算公式为：空闲cclk周期数 ＝ idcy +1；（idcy的复位值为15）
wst1：一些慢速的外部存储器可能不能适应emc最高速度的读操作，所以需要在读周期中插入若干个空闲等待周期，以降低读操作的速度。该域控制着读周期中插入的空闲cclk周期数。
计算公式为：读操作周期长度 ＝ wst1 + 3；（wst1的复位值为15）
rble：如果外部存储器的总线宽度为16或32位，那么读写操作是对总线上的2个或4个字节的数据同时进行的。某些存储器允许对总线上的某几个字节进行独立的读写操作，而不影响其它字节，这通过芯片的字节定位引脚实现。当rble位为1时使能字节定位功能，bls3:0在读写操作时输出低电平。当rble位为0时，禁止该功能。
存储器组配置寄存器0～3（bcfg0～3）：
wst2：和读操作类似，一些慢速的外部存储器可能不能适应emc最高速度的写操作，所以需要在写周期中插入若干个空闲等待周期，以降低写操作的速度。该域控制着写周期中插入的空闲cclk周期数。
计算公式为：写操作周期长度 ＝ wst2 + 3；（wst2的复位值为15）
对于burst rom，计算公式为：写操作周期长度 ＝ wst2 + 1；
buserr：总线错误状态位。如果emc检测到amba总线上出现一个大于32位数据访问的请求，那么该位将置位。arm7tdmi-s内核不会出现这样的请求；
wperr：错误写状态位。如果对一个已经写保护（wp位为1）的存储器组进行写操作，该位将置位。向该位写入1，可以清零该位。
wp：该位为1时，相应的存储器组被写保护；
bm：如果外部存储器使用了burst rom，将该位置1；
at：该域通常写入00。
mw：该位控制相应存储器组的数据总线宽度，如下表所示。
mw控制域（bcfg[29:28]）与引脚boot1:0的关系：
由于bank0可用于引导程序运行，所以bcfg0[29:28]的复位值与引脚boot1:0的设定有关(当boot1:0=11时，复位后从片内flash引导程序运行)。
与外部存储器的连接
如果存储器组配置成32位宽度，地址线a0和a1无用，可作为gpio使用（由pinsel2设置）；
如果存储器组配置成16位宽度，地址线a0无用，可作为gpio使用（由pinsel2设置）；
如果存储器组配置成8位宽度，并且使能字节定位功能（rble=1），存储器的写信号由 bls[0]提供，否则由we信号提供；
同一寄存器组的器件宽度必须一致。
与外部存储器连接——32位宽度
与外部存储器连接——8/16位宽度
相关启动代码分析