dm3020程控晶体成长炉技术参数
1、电源：ac220v，50/60hz；
2、额定功率：7kw；
3、炉膛尺寸：180×200mm；
4、加热元件：si-mo硅钼棒
5、额定温度：1600℃，温控精度：± 1℃，
升温速率：10℃/min；
6、报警保护：上、下限,正、负偏差,断偶等报警；
(二)产品特色：
本设备适用于材料学相关专业的教学和科研实验，由温控系统、井式炉、真空系统、供气系统、水冷系统五部分构成，可在真空或气氛环境下用高温熔融生长法制备各种氧化物、非氧化物晶体材料，以及对多晶体样品进行烧结、热处理等。
1、智能ai控温，具备50段程序编排功能，节能高效益；
2、特殊的炉膛保温材料，炉膛温度分布均匀，保温性能优异；
3、高温控制范围，100～1600℃；
4、保护气氛的入口也可作为其它必要气体的入口；
5、真空密封部件由
一、概 述
真空镀膜属于薄膜技术和薄膜物理范畴,广泛应用在电真空，电子学、光学、能源开发、现代仪器、建筑机械、包装、民用制品、表面科学、以及原子能工业和空间技术中。它可以用来镀制微膜组件，薄膜集成电路，半导体集成电路等所需的电学薄膜；光学系统中需要的反射膜，透设膜，滤光膜等各种光学薄膜；轻工业产品的烫金薄膜等等。由于真空镀膜技术的迅速发展，从而使电子计算机的微型化成为可能，促进了人造卫星，火箭和宇航技术的发展。
所谓真空镀膜就是指在真空中将金属或金属化合物沉积在基体表面上。从技术角度可分为40年代开始的蒸发镀膜，溅射镀膜和70年代才发展起来的离子镀膜。束流沉积等四种。真空镀膜能在现代科技和工业生产中得到广泛应用，主要在于它具有以下的优点：①它可用一般金属（铝，钛等）代替日益缺乏的贵重金属（金，银）并使产品降低成本，提高质量，节省原材料。②由于真空分子碰撞少，污染少，可获得表面物理研究中所要求的纯净，结构致密的薄膜。③镀膜时间和速度可准确控制，所以可得到任意厚度均匀或非均匀薄膜。④被镀件和蒸镀物均可是金属或非金属，镀膜时被镀件表面不受损坏，薄膜与基体具有同等的光洁度。
真空蒸发物理镀膜工艺，是迄今在工业能够制备光学薄膜的主要的工艺。它们大规模地应用，实际上是在1930年出现了油扩散泵---机械泵抽气系统之后。真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与加工的新技术，是表面工程技术领域的重要组成部分。真空镀膜技术是利用物理、化学手段将固体表面涂覆一层特殊性能的镀膜，从而使固体表面具有耐磨损、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、防辐射、导电、导磁、绝缘和装饰等许多优于固体材料本身的优越性能，达到提高产品质量、延长产品寿命、节约能源和获得显著技术经济效益的作用。因此真空镀膜技术被誉为很有发展前途的重要技术之一，并已在高技术产业化的发展中展现出诱人的市场前景。
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