kri离子源应用于金属热蒸镀设备 metal thermal evaporation system
热蒸发是物理气相沉积 pvd 中常用方法. 使用电加热的蒸发源可用于沉积大多数的有机和无机薄膜, 其中以电阻式加热法常见. 这些蒸发源的优点为它们可以提供一种简单的薄膜沉积方法, 以电流通过其容纳材料的舟为方式, 从而加热材料. 当沉积材料的蒸气压超过真空室的温度时, 材料将开始蒸发并沉积到基板上并且在于热蒸发时可以精准的控制蒸发速度, 且薄膜的厚度和均匀度小于 +/- 3％.上海伯东美国kri 考夫曼离子源可用于基板清洁和加速材料的蒸发速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.
----------- 金属热蒸镀设备 metal thermal evaporation system ----------
kri射频离子源rficp 系列技术参数:
型号
rficp 40
rficp 100
rficp 140
rficp 220
rficp 380
discharge 阳极
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
rf 射频
离子束流
>100 ma
>350 ma
>600 ma
>800 ma
>1500 ma
离子动能
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
栅极直径
4 cm φ
10 cm φ
14 cm φ
20 cm φ
30 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
长度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直径
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
lfn 2000
kri考夫曼离子源kdc 技术参数:
型号
kdc 10
kdc40
kdc 75
kdc100
kdc 160
discharge 阳极
dc 电流
dc 电流
dc 电流
dc 电流
dc 电流
离子束流
>10 ma
>100 ma
>250 ma
>400 ma
>650 ma
离子动能
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
100-1200 v
栅极直径
1 cm φ
4 cm φ
7.5 cm φ
12 cm φ
16 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
1-5 sccm
2-10 sccm
2-15 sccm
2-20 sccm
2-30 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
< 0.5m torr
长度
11.5 cm
17.1 cm
20.1 cm
23.5 cm
25.2 cm
直径
4 cm
9 cm
14 cm
19.4 cm
23.2 cm
中和器
灯丝
若您需要进一步的了解离子源详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生