薄膜电容是一种常见的电容器类型，具有良好的性能和可靠性，被广泛应用于各种电子设备和系统中。它的特性和制造工艺决定了它的性能参数和应用范围。
薄膜电容的特性主要包括电容值、介质常数、损耗因子、耐压和温度系数等。其中，电容值是最基本和重要的参数，即电容器存储电能的能力，通常用单位面积的电容量来表示。介质常数是介质中电场的传播速度和存储电荷的能力，决定了电容器的尺寸和板距离。损耗因子是介质中电场能量的损失程度，影响电容器的质量因数和频率响应特性。耐压是电容器的电极和介质之间承受电场强度的极限值，直接影响电容器的可靠性和安全性。温度系数是电容器电容值随温度变化的比例系数，影响电容器的工作温度范围和稳定性。
薄膜电容的制造工艺主要包括印刷、蒸镀和薄膜沉积三种方法。印刷是最简单和经济的方法，利用印刷机器在电容器基底上印刷金属电极和介质层，常用于生产小型和低性能的电容器。蒸镀是利用真空下电极材料升华并在基底上凝结形成电极层和介质膜的方法，常用于生产中小尺寸和中高性能的电容器。薄膜沉积是利用化学气相沉积或物理气相沉积在基底上生长出非晶体或多晶体薄膜作为电极和介质层的方法，常用于生产中高尺寸和高性能的电容器。
薄膜电容具有许多优良的特性和制造工艺，适用于各种电子设备和系统中，例如滤波器、稳压器、信号处理和通信设备等。因此，薄膜电容在电子工业中具有广泛的应用前景和发展空间。