某研究机构采用hakuto离子蚀刻机10ibe对碲镉汞晶体进行蚀刻,并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性.
hakuto离子蚀刻机10ibe技术参数:
基板尺寸
< ф8 x 1wfr
样品台
直接冷却（水冷）0-90度旋转
离子源
16cm考夫曼离子源
均匀性
±5% for 4”ф
硅片刻蚀率
20 nm/min
温度
<100
hakuto离子刻蚀机10ibe离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的kri考夫曼公司的考夫曼离子源kdc 160
伯东美国kri考夫曼离子源kdc 160技术参数：
离子源型号
离子源kdc 160
discharge
dc热离子
离子束流
>650 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
16 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
2-30 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
中和器
灯丝
hakuto离子刻蚀机10ibe真空腔采用pfeiffer涡轮分子泵hipace 700,可抽的真空度< 1 · 10-7hpa,良好的保持真空腔的真空度.
试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体,发现180μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.
通过分析不同温度下的迁移率谱,表明表面电子层的迁移率不随温度而变化,而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.
不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.
另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高2—3个数量级.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论,请参考以下联络方式:
上海伯东:罗先生