τ:10～6000μs，ρ＞3ω·cm ，配数字示波器;用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质的重要检测项目。设备组成1.光脉冲发生装置:重复频率>25次/s脉 宽>60μｓ光脉冲关断时间＜1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）脉冲电流：5a～20a如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.高频源:频 率：30mhz低输出阻抗输出功率>1w放大器和检波器:频率响应：2hz～2mhz3.配用示波器：配用示波器：频带宽度不低于10mhz，y轴增益及扫描速度均应连续可调。测量范围：可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1ω·㎝（欧姆·厘米）寿命值的测量范围：5～6000μｓ（微秒）