1，三星840evo ssd怎样求大神解答2，三星840evo120g 固态硬盘写入总字节数用到多少硬盘差不多就要换了3，三星固态硬盘evo和pro的区别1，三星840evo ssd怎样求大神解答
挺好的啊 我现在用的就是840evo 120g的 感觉碉堡了~
2，三星840evo120g 固态硬盘写入总字节数用到多少硬盘差不多就要换了
容量x颗粒的pe次数 120g＊1000＝120000gb，使用时间你可以根据自己每天写入硬盘的数据量来计算一下。如果每天写入10g数据，可以使用12000天＝33.3年。固态硬盘寿命，tbw计算，tbw换算成写入量：megabyte〈mb〉=1024 kilobytesgigabyte〈gb〉=1024 megabytesterabyte〈tb〉=1024 gigabytespetabyte〈pb〉=1024 terabytesexabyte〈eb〉=1024 petabyteszettabyte〈zb〉=1024 exabytesyottabyte〈yb〉=1024 zettabytes首先得明白：tbw指1024gb的write，就是w指写入量。比如三星固态硬盘860pro 500g的寿命为600tbw，也就是说可以写入600×1024=600×1000=600000gb的数据intel 固态545s系列256g的寿命是144tbw。西部数据(wd) blue系列-3d版 250g ssd固态硬盘(wds250g2b0a)：寿命100tbw。正常人一年的写入量其实也就4tb~5tb，寿命为600tbw可以用120年了。当然，一般的固态硬盘是达不到这个寿命的，一般也就75tbw，150tbw，300tbw的居多，但即使是这样，也是可以用10年以上了，所以普通硬盘根本不必担心寿命问题。买固态硬盘一定要看的数据就是写入量，因为写入量是可以通过实际测试得到的，像寿命多少年无法实际去测试，一般良心的，比较自信的品牌会亮出自己的固态硬盘写入量。一些垃圾固态就会拿读取、写入速度来说事。不明确写明自己固态硬盘的数据的，一般用的材料会比较垃圾，工艺也垃圾，寿命自然不会怎么样。当然这样的商品会便宜很多，不信你们自己可以去比较一下。一般固态硬盘使用寿命是以整盘的写入次数来区分，以三星840pro 256gb为例来说，使用mlc芯片，pe大概3000次，那么就是3000x256gb，再除以每天的写入量大概为30gb，基本上是71年。同时，ssd的擦写是平均的，聪明的主控会合理安排磨损的，呵呵。所以说你128g的840pro 可以使用30多年才把写入量用完，根本不用担心这个问题，那个时候，你早就换新盘了！固态硬盘寿命，tbw计算，tbw换算成写入量：megabyte〈mb〉=1024 kilobytesgigabyte〈gb〉=1024 megabytesterabyte〈tb〉=1024 gigabytespetabyte〈pb〉=1024 terabytesexabyte〈eb〉=1024 petabyteszettabyte〈zb〉=1024 exabytesyottabyte〈yb〉=1024 zettabytes首先得明白：tbw指1024gb的write，就是w指写入量。比如三星固态硬盘860pro 500g的寿命为600tbw，也就是说可以写入600×1024=600×1000=600000gb的数据intel 固态545s系列256g的寿命是144tbw。西部数据(wd) blue系列-3d版 250g ssd固态硬盘(wds250g2b0a)：寿命100tbw。正常人一年的写入量其实也就4tb~5tb，寿命为600tbw可以用120年了。当然，一般的固态硬盘是达不到这个寿命的，一般也就75tbw，150tbw，300tbw的居多，但即使是这样，也是可以用10年以上了，所以普通硬盘根本不必担心寿命问题
3，三星固态硬盘evo和pro的区别
这个就简单啦,虽然使用上感觉的差距不是很明显,不过,就好像普通硬盘与服务器硬盘的对比:一个是普通产品,一个是高端旗舰型号!三星固态硬盘pro和evo简单来说定位有所区别，pro定位高端旗舰型号，evo定位亲民大众型号。我从官方客服得到答案是，evo用的是闪存颗粒是samsung v-nand 3bit mlc，pro用的闪存颗粒是samsung v-nand 2bit mlc，而实际samsung v-nand 3bit mlc就是3d tlc颗粒。所以可以总结为：pro主要采用的是可靠性和性能非常出色的mlc nand颗粒，evo而采用的是性价比且可靠性也非常高的3d tlc nand颗粒。到底啥是mlc啥是tlc，大家可能有些晕，我先给大家简单普及下。颗粒的传统分类：slc、mlc、tlc简单来说，nand闪存中存储的数据是以电荷的方式存储在每个nand存储单元内的，slc、mlc及tlc就是存储的位数不同。slc（single-level cell）单层式存储每个存储单元仅能储存1bit数据，同样，mlc（multi-level cell）可储存2bit数据，tlc(trinary-level)可储存3bit数据。一个存储单元上，一次存储的位数越多，该单元拥有的容量就越大，这样能节约闪存的成本，提高nand的生产量。mlc的优势在于，tlc需要识别8种信号，而mlc只需要识别4种信号，可以花更少时间来读取数据。因此，3d nand出现之前，mlc在性能和可靠性上，是高于tlc的。但是，随着三星的3d tlc的出现，tlc与mlc的性能和可靠性逐渐拉小差距。3d nand闪存：三星的杀手锏级产品刚介绍的nand闪存不仅有slc、mlc和tlc类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，nand的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。虽然先进工艺虽然带来了更大的容量，但是nand闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，nand的硅基越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。相比之下，3d nand解决问题的思路就不一样了，想要提高nand的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3d nand闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了。由于已经向垂直方向扩展nand密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产3d nand闪存，做成3d v-nand mlc或者3d v-nand tlc。现在三星已经就这样做了，pro是3d mlc，evo是3d tlc。使用旧工艺的好处就是p/e擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。三星闪存颗粒过去房子基本都是一层平房，要想在固定大小的房子里隔出更多的房间，就需要压缩每个房间的空间。随着租客越来越多，房间空间越来越小了，只能放一张床了，再继续压缩的话，人都住不了。怎么办？聪明的建筑师想到了可以在房子上再盖房子，拓展垂直空间。现在好了，有人可以搬到楼上去，大家再也不用挤在那么小的房间。3d nand闪存思想就是这样的，不是一味的在一个平面提升闪存密度，而是堆积多个平面，达到提升闪存容量的目的。将平房增加楼层盖成高楼，单位面积内可容纳的人就会更多，这点是同理的。由此我们也可以得出结论3d mlc>3d tlc>2d mlc>2d tlc，现在不管购买三星pro还是evo都不用过分考虑ssd闪存寿命问题，可能电脑主机完全淘汰了ssd还健在，而从正常使用考虑三星evo采用3d tlc技术也足以应对日常数据处理，追求更高性能的用户则可以考虑三星pro系列产品，性能更为出色！以三星固态硬盘840 evo和840 pro区别为例，如下：
两款固态硬盘的nand flash闪存芯片不同，840 evo采用的闪存芯片为tlc，840 pro采用的闪存芯片为mlc，后者无论从读写速度与使用寿命上都强于840 evo。