本文为大家介绍ddr2和ddr3的区别(ddr2和ddr3和ddr4的区别)，下面和小编一起看看详细内容吧。
插槽不同。 ddr3比ddr2具有更高的频率、更快的速度、更大的容量和更高的性能。
与ddr2内存相比，ddr3内存其实只是规格上的提升，并没有真正意义上的全新架构进行全面的换代。 ddr3的接触针脚数与ddr2一样是240pin。但是防呆板的缺口位置不同。 ddr3对大容量内存的支持比较好，大容量内存的分水岭是4gb，这是32位操作系统的执行上限（不考虑pae等内存映射模式，因为这些32位扩展模式是只是过渡方式会降低性能，不会成为零售市场的主流技术。）当市场需求超过4gb时，64位cpu和操作系统是唯一的解决方案。这也是ddr3内存的普及期。
一、ddr2和ddr3内存的特性区别：
1.逻辑bank的数量
ddr2 sdram中有4bank和8bank的设计，目的是为了满足未来大容量芯片的需要。 ddr3最开始的容量很可能是2gb，所以最初的逻辑bank是8个，未来也为16个逻辑bank做好了准备。
2. 套餐
由于ddr3有一些新的功能，管脚会增加。 8bit芯片采用78-ball fbga封装，16bit芯片采用96-ball fbga封装，ddr2有60/68/84-ball fbga封装三种规格。而且ddr3必须是绿色包装，不能含有任何有害物质。
3.突发长度（bl，burst length）
由于ddr3的预取是8bit，所以突发传输周期（bl，burst length）也固定为8，而对于ddr2和早期的ddr架构系统，也常用bl=4，而ddr3增加了一个4-bit的burst chop (burst mutation)模式，即一个bl=4的读操作加上一个bl=4的写操作合成一个bl=8的数据突发传输，可以通过a12地址线来控制这种突发模式。
4.寻址时序（timing）
正如ddr2由ddr改成后延迟周期数增加一样，ddr3的cl周期相比ddr2也会增加。 ddr2的cl范围一般在2~5之间，而ddr3的cl范围在5~11之间，附加延迟（al）的设计也有所变化。 ddr2中al的取值范围是0到4，而ddr3中al有3种选择，分别是0、cl-1和cl-2。另外，ddr3还新增了一个时序参数—— write delay (cwd)，这个参数会根据具体的工作频率来决定。
2、ddr3与ddr2（台式机无缓冲dimm）相比的优势：
1、更快的速度：预取缓冲区宽度从4bit增加到8bit，相同核心频率下的数据传输量将是ddr2的两倍。
2、更省电：ddr3模组电压由ddr2的1.8v降低到1.5v，比同频ddr2更省电。具有srt（self-refresh temperature）功能，增加内部温度传感器，可根据温度动态控制更新率。 （rasr，partial array self-refresh function），以节省电力。
3.容量更大：银行更多。按照jedec标准，ddr2应该可以产生4gb/unit的容量（即单个模块可以达到8gb）。不过，根据目前多家dram厂商的规划，ddr2的量产可能会跳过这4gb的单位容量，也就是说，届时单个ddr2 dram模组的容量最多只能达到4gb。 ddr3模组容量将从1gb起步，目前单条模组规划到16gb是没有问题的（注：这里指的是零售组装市场专用的unbuffered dimm，fb和registered for server不限这）。
好了，ddr2和ddr3的区别(ddr2和ddr3和ddr4的区别)的介绍到这里就结束了，想知道更多相关资料可以收藏我们的网站。