东芝智能igbt模块的工作特性，静态特性igbt的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。igbt的伏安特性是指以栅源电压ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压 ugs的控制，ugs越高，id越大。它与gtr的输出特性相似，也可分为饱和区1，放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的igbt，正向电压由j2结承担，反向电压由j1结承担。如果无n+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，东芝智能igbt模块原理与特性介绍缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了igbt的某些应用范围。 igbt的转移特性是指输出漏极电流id与栅源电压ugs之间的关系曲线。它与mosfet的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压ugs(th) 时，igbt处于关断状态。在igbt导通后的大部分漏极电流范围内， id 与 ugs 呈线性关系。高栅源电压受大漏极电流限制，其佳值一般取为15v 左右。igbt的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。igbt处于导通态时，由于它的pnp晶体管为宽基区晶体管，所以其b值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过mosfet的电流成为igbt总电流的主要部分。此时，通态电压 uds(on) 可用下式表示 uds(on) ＝ uj1 ＋ udr ＋ idroh 式中 uj1 —— ji 结的正向电压，其值为 0.7 ～1v ；udr ——扩展电 阻 rdr 上的压降；roh ——沟道电阻。通态电流ids可用下式表示： ids=(1+bpnp)imos 式中 imos ——流过 mosfet 的电流。由于n+区存在电导调制效应，所以igbt的通态压降小，耐压1000v的igbt通态压降为2 ～ 3v。igbt处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。动态特性igbt在开通过程中，大部分时间是作为mosfet来运行的，只是在漏源电压uds下降过程后期，pnp晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。
实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td (on) tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。igbt的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行，器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为igbt栅极，发射极阻抗大，故可使用mosfet驱动技术进行触发，不过由于igbt的输入电容较 mosfet为大，故igbt的关断偏压应该比许多mosfet驱动电路提供的偏压更高。igbt在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为mosfet关断后，pnp晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压uds(f)的上升时间。