快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用pn结型结构，有的采用改进的pin结构。其正向压降高于普通二极管（1-2v），反向耐压多在1200v以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(schottky barrier diode），具有正向压降低（0.4--0.5v）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150v，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
肖特基二极管：反向耐压值较低40v-50v，通态压降0.3-0.6v，小于10ns的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为n型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的pn结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为rc时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100ghz。并且，mis（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1v的正向导通压降，35-85ns的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。