扩散电阻成像取决于使用与样品表面直接接触的导电原子力显微镜探针[1]。
在上施加电压偏置，并通过恒定力模式下的采集形貌同时测量表面上位置的函数电流。
可以很容易地看出，假设表面的接触电阻不会随位置变化，对于给定的偏置，测得的电流将与所研究样品的局部电阻率成比例。
扩展电阻成像还可以应用于具有复杂结构的样本，例如集成电路。
文献[2]中对扩散阻力成像的现状进行了综述。
references
us pat. 4992728. j. vac. sci. techn. b, 20 (1), 471 (2002).