静电感应晶体管（sit）和静电感应晶闸管（sith）是两种结构与原理有许多相似之处的新型高频大功率电力电子器件，是利用静电感应原理控制工作电流的功率开关器件。sit和sith具有功耗低，开关速度高，输入阻抗高，可用栅压控制开关的优点，在感应加热、超声波加工、广播发射等高频大功率装置以及逆变电源、开关电源、放电设备电源等新型电源的应用中具有很强的优势。
1．静电感应晶体管（sit）
图1a）为sit的结构原理图，图1b）和图1c）分别为sit和sith的符号。
a） b） c）
图1 sit的结构和符号
静电感应晶体管（sit）是一种结型场效应晶体管，于1970年已开始研制。sit的结构如图1a）所示。在一块掺杂浓度很高的n型半导体两侧有p型半导体薄层，分别引出漏极d、源极s和栅极g。当g、s之间电压ugs=0时，电源us可以经很宽的n区（有多数载流子电子可导电）流过电流，n区通道的等效电阻不大，sit处于通态。如果在g、s两端外加负电压，即ugs<0，即图中半导体n接正电压，半导体p接负电压，p1n与p2n这两个pn结都加了反向电压，则会形成两个耗尽层a1和a2（耗尽层中无载流子，不导电），使原来可以导电的n区变窄，等效电阻加大。当g、s之间的反偏电压大到一定的临界值以后，两侧的耗尽层变宽到连在一起时，可使导电的n区消失，则漏极d和源极s之间的等效电阻变为无限大而使sit转为断态。由于耗尽层是由外加反偏电压形成外静电场而产生的，通过外加电压形成静电场作用控制管子的通、断状态，故称之为静电感应晶体管sit。sit在电路中的开关作用类似于一个继电器的常闭触点，g、s两端无外加电压ugs=0时sit处于通态（闭合）接通电路，有外加电压ugs作用后sit由通态（闭合）转为断态（断开）。
2．静电感应晶闸管（sith）
静电感应晶闸管（sith）又称为场控晶闸管fct（field controlled thyristor），其通—断控制机理与sit类似。结构上的差别仅在于sith是在sit结构基础上增加了一个pn结，而在内部多形成了一个三极管，两个三极管构成一个晶闸管而成为静电感应晶闸管。
栅极不加电压时，sith与sit一样也处于通态，外加栅极负电压时由通态转入断态。由于sith比sit多了一个具有少子注入功能的pn结，所以sith属于两种载流子导电的双极型功率器件。实际使用时，为了使器件可靠地导通，常取5～6v的正栅压而不是零栅压以降低器件通态压降。一般关断sit和sith需要几十伏的负栅压。