1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例）
ib=f (vbe)½ vce=常数
(1) 当vce=0v时，相当于c和e短接，表现为pn结的正向伏安特性曲线。
(2) 当vce≥1v时， vcb= vce - vbe>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vbe下ib减小，特性曲线右移。
(3) 输入特性曲线的三个部分
①死区
死区电压：硅管0.5v，锗管0.1v
②非线性区
③线性区
ib在很大范围内变化，vbe基本不变（恒压）。vbe值：硅管约0.7v，锗管约0.2v。
2. 输出特性曲线（以共射极放大电路为例）
ic=f (vce)½ ib=常数
输出特性曲线的三个区域
饱和区：ic明显受vce控制的区域，该区域内，一般vce＜0.7v(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。
放大区：ic平行于vce轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。
截止区：ic接近零的区域，即ib=0的曲线的下方。此时，发射结反偏或正向电压小于死区电压。