我们都知道，芯片本来是由晶圆刻画形成不同电路，随着芯片的小型化和多功能集成化发展，单个芯片承载着诸多复杂的功能，很多外围电路和器件都集成了单个芯片里面。
相对于常规的在pcb板上贴装的场景，芯片内空间小，温度高，稳定性要求高，这对内部的元器件要求也更高。
针对芯片封装内的特殊要求，市场也诞生了不少越来越多的电容产品。
超微型是芯片内封装陶瓷电容器的主要特点，它们的超小体积、超薄高度的特点，非常适合芯片内空间小的场景。相对于消费类电子产品大量用的陶瓷电容器，芯片内的小型化程度要提前1-2代，比如目前市场上用量最大的是0201尺寸的陶瓷电容器，旗舰智能手机、高精模组及智能穿戴产品开始带动01005尺寸陶瓷电容器使用，但在芯片内，主流的已经是01005，先进的产品里面已经大量使用008004尺寸的陶瓷电容器。
高耐温陶瓷电容器主要是针对100nf及以上的这类c0g和x7r材料在小尺寸中很难达到的容量，将其温度从x5r的85℃提升到105℃或者125℃），以提升其在高温环境中工作的稳定性和可靠性。
射频芯片是重要的一类芯片，对配套元器件的射频性能要求非常高。
射频陶瓷电容器通过元件内部结构的设计改良、微波陶瓷介质材料，以及低损耗特性的铜电极材料，实现低 esr，强抗干扰，高srf等特性的陶瓷电容器，对于射频信号处理的处理效果非常理想。目前陶瓷电容器已经覆盖008004尺寸到0402尺寸各个容值的高频需求，同时针对基站等产品，增加了0603和0805等大尺寸射频电容。
倒置式陶瓷电容器即将陶瓷电容器的长宽倒置，缩短内电极，增加电极的层数，从而缩短高频电流路径，降低esl，降低电路失真，维护射频信号的保真度。
未来相信市场也会推出更加高端的陶瓷电容产品，以满足更尖端的产品技术需求。