本文为大家介绍台积电7nm工艺技术谁提供的(intel 7nm工艺)，下面和小编一起看看详细内容吧。
半导体研究机构icinsights在2017年3月3日的公告中指出，2017年有11家半导体工厂的资本开支预算超过10亿美元，占全球半导体产业总量的78%。 2013年，全球资本支出预算超过10亿美元的半导体工厂仅有8家。前十大工厂中有两家今年的资本支出增长超过20%，分别是英特尔25%和globalfoundries 33%。
英特尔的做法
为了进一步发展生产工艺，英特尔将在2017年建设7nm工艺中试工厂，中试工厂将测试7nm晶圆生产工艺。不过，虽然英特尔并未提及何时开始量产该工艺芯片，但相信至少在未来2~3年内不会实现。
英特尔表示，7nm工艺将为芯片带来更大的设计变化，使其体积更小、能效更高。英特尔计划使用奇异的iii-v 材料（如氮化镓）进行芯片生产，这样可以在提高性能速度的同时实现更长的电池寿命。同时，他们将在生产中引入极紫外（euv）工具，以协助更精细的特征蚀刻工艺。
按照英特尔原定的“制程、架构、优化”三步走计划，7nm制程处理器最早应该在2020年出样，2021年出货。事实上，按照业内猜测，这些7nm制程处理器不太可能在6 到7 年内可用。
globalfoundries 的方法
由于产能闲置，globalfoundries 去年的资本支出下降了62%。 globalfoundries已经决定跳过10nm直接挑战7nm工艺。预计今年绝大部分资本支出将用于购买新设备和技术研发。
此外，格罗方德在开发7nm的同时，着眼于实际应用：22nm fd-soi（全耗尽型绝缘体上硅）工艺线，产品将广泛应用于移动终端、物联网、汽车电子等领域。
在物联网的浪潮下，fd-soi技术也越来越受到重视。与finfet相比，fd-soi衬底虽然价格更高，但掩模和制造工艺比finfet少。它降低了一些掩模的成本并减少了制造时间。它在技术上更适用于模拟/混合信号，rf和fd-soi也具有低功耗的优势。因此，很多人认为fd-soi会是物联网更好的选择，或者可以与finfet形成互补。
公司继2015年推出22nm fd-soi平台后，于去年9月进一步发布了全新的12nm fd-soi技术。新一代12nm fd-soi产品预计2018年底在德国dresden fab 1投产，22nm fd-soi生产重心将于2019年转移至成都新厂。
台积电和三星的做法：
2017年isscc（international solid-state circuits conference，国际固态电路研讨会），5篇台积电论文入选（1篇来自美国台积电），模拟电路领域2篇，3篇被关于存储电路设计。
业界认为，台积电将在大会上率先发布7nm finfet技术。揭示目前为止最小位数的sram在7nm finfet中的应用，验证7nm工艺下的0.027 m2 256mbit sram测试芯片能够大幅提升手机和平板电脑中央处理芯片的运算速度，以及同时满足低功耗要求。
台积电和三星通常用sram和dram练兵，先从内存开始，等良品率提高到一定程度再进口逻辑产品。台积电此前预计10nm年底量产，7nm最快2018年第一季度量产。
三星在10月初抢在台积电之前宣布量产10nm。近日有消息称，台积电的7nm制程最早将于2017年试产，并于4月接单。三星已在7nm引入极紫外光刻设备，预计2017年底可量产7nm。
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