ST新增经DLA的抗辐射器件——JANSR双极晶体管

发布时间:2024-03-17
针对高等科技应用领域对抗辐射能力更高的产品需求,st公司近日推出了一款经过dla(defense logistics agency)评价的jansr双极晶体管。该器件在抵御强烈辐射环境下表现出优异的性能,为一系列引领未来的科技应用提供了可靠的保障。
jansr双极晶体管采用了最新的射频、微波和功率半导体工艺,具备较高性能和可靠性。该晶体管可抵御100krads(si)累积辐射剂量的干扰,可适用于卫星上的各种通信、导航、控制和科学设备,以及高能物理或核实验仪器等应用领域。
此外,st公司还在传感器、航空航天和射频雷达等领域展开了深入的研究和应用,推出多种抗辐照器件。其中,高剂量辐射环境下的放大器、开关和mosfet器件等均取得业内领先的进展。
st公司表示,该公司不断努力推动半导体技术的发展,以更好地应对未来的高端科技应用挑战。jansr双极晶体管的推出,标志着st公司在抗辐射半导体器件领域的技术实力得到高度肯定。公司将继续加强对于射频、微波、功率和控制器件技术的研究和进一步深化应用,以推进半导体技术向前发展,为全球高科技产业做出更多贡献。
可以预见,高端科技应用领域将持续对抗辐射能力和可靠性等指标提出更高要求。作为业内领先的半导体企业之一,st公司将持续深化研发,为科技应用提供全面的半导体器件解决方案。无论是在卫星通信、高能物理或核实验仪器等领域,还是在航空航天和射频雷达等领域,st公司都将持续为高端科技应用提供稳定可靠的半导体器件,为科技进步不断助力。
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