cmos电路是现代电子电路设计的重要组成部分，而其中的esd（静电放电）保护结构设计则是保障其稳定运行的必要手段之一。在本文中，我们将深入探讨cmos电路中esd保护结构的设计原理与要求。
首先，esd保护结构的设计原理是基于esd现象的本质。esd现象是指当两个不同电势的物体接触时，会出现突然放电的现象。在cmos电路中，这种常见的esd现象会对其部件造成致命威胁，如击穿、烧坏、寿命缩短等等。因此需要采用一些措施来保护cmos电路。
在cmos电路中，esd保护结构是通过在芯片表面和器件金属层之间加入esd保护结构器件来实现的。esd保护结构器件的设计目标是提供低阻抗路径，使esd电流能够流到地面而不是通过晶体管通道流过来，在保护晶体管的同时，不影响晶体管的正常运行。
esd保护结构更具体地包括了多个元件的组合。其中一些最重要的分别是nmos反击二极管、pmos反击二极管、双防反复二极管和储能二极管等。这些元件必须合理材料选择和大小设计，以确保esd保护起到最佳的效果。
同时，esd保护结构的设计还需要遵循一些要求规则。首先，它需要具有高响应速度，这可以通过快速地将esd电流引导到地线来实现。其次，esd保护结构应该有较低的esd敏感性，其esd侦测电压应该足够大，以便于不受偶然电场的影响。此外，esd保护结构还需要具有良好的电性能，包括稳定性，低噪声和低功耗等等。
总之，在cmos电路中，esd保护结构的设计原理和要求是非常重要的。通过合理的设计和选择，可以确保cmos电路的正常运作并避免esd现象对其造成的损害。因此，我们需要始终关注这些原理和要求的有效实践，以保持cmos电路在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。