ST发布650V超结MOSFET

发布时间:2024-03-08
stmicroelectronics(st)最近发布了一款650v超结mosfet,这是一种具有高效能且可靠性能的功率开关。该超结mosfet采用了st的先进半导体技术,具有极低导通和开关损耗,可在广泛的应用领域中提供出色的性能。
该650v超结mosfet系列通过使用优化的电极和结构设计,实现了一流的性能,包括低导通电阻和良好的体二极管特性。此外,新款超结mosfet还具有优异的电压抑制能力和快速开关速度,这使得它适用于各种高效电源应用。
这些mosfet器件在各种电力电子应用中能够提供出色的表现,包括电机控制,ups(不间断电源)系统,太阳能逆变器和电力因数校正器。此外,该系列超结mosfet还适用于电动车充电器等领域。这些应用通常需要高效能、高可靠性和长寿命的器件,而st新型650v超结mosfet正好符合这些要求。
该款超结mosfet的单个器件尺寸为to-220或to-247,包括各种不同的电流排列,从36a到92a,以满足不同应用的需求。此外,这些器件还具有温度保护,可保证器件在超过其最大操作温度时不会受到损坏。
总之,st的这款650v超结mosfet提供出色的性能和可靠性,适用于各种高效电源和电机控制应用。其广泛的电流排列和保护特性使其成为电力电子行业的理想选择。
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