cmos电路示最常用的逻辑电路之一。现给出cmos门电路的一些主要电气指标和测量方法以便正确使用cmos电路。
1. 电压传输特性及有关性能参数
采用图（a）所示的测量方法，可测出cmos非门的传输特性，如图（b）所示。
图 cmos非门的电压传输特性
由电压传输特性可得下列参数。
① 输出高、低电平voh和vol 显然voh为vdd(最小值一般为0.99vdd)；vol为0v(最大值一般为0.01vdd)，因此cmos电路的逻辑摆幅较大，接近电源电压vdd值。
② 阈值电压vt 由于cmos非门电压传输特性中输出高低电平的过渡区很陡，故阈值电压vt约为vdd/2。
③ 抗干扰容限 由图（b）可见，cmos非门的开门电平von门电平voff分别为0.45vdd和0.55vdd，因此其高、低电平抗干扰容限均达0.45vdd。其他cmos门电路的抗干扰容限尽管不一定能达到非门的水平，但一般均大于0.3vdd.当电源电压vdd较大时，其抗干扰能力就很强。
2. 电源电压范围
标准cmos电路的电源电压范围很宽，可在3～18v范围内工作，电源电压不同，cmos电路的性能就不同。上述几个与电压传输特性有关的参数，基本上都与电源电压vdd呈线性关系。
3. 传输延迟与功耗
cmos电路的功耗较小，传输延迟较大，且它们均与电源电压有关。下表列出了温度为
25℃且负载电容为50pf时，不同电源电压下cmos非门的传输延迟和功耗。由表可见，电源电压越高，cmos电路的传输延迟越小，功耗越大。
cmos非门的传输延迟和功耗与电源电压的关系
4. 扇出系数
因cmos电路有极高的输入阻抗，因此其扇出系数很大，额定扇出系数可达50。但是，
必须指出的是，扇出系数是指驱动cmos电路的个数，若就灌电流负载能力和拉电流负载能力而言，cmos电路远远低于ttl电路。