三极管的工艺特点

发布时间：2024-02-29

发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小；
基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低；
集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个pn结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！
工艺结构在半导体产业相当重要，pn结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括ic。