亚阈值摆幅（subthreshold swing）， 又称为s因子。这是mosfet在亚阈状态工作时、用作为逻辑开关时的一个重要参数，它定义为：
s = dvgs / d(log10 id)，单位是[mv/decade]。s在数值上就等于为使漏极电流id变化一个数量级时所需要的栅极电压增量δvgs，表示着id~vgs关系曲线的上升率。
s值与器件结构和温度等有关：衬底反向偏压将使表面耗尽层电容cd减小，则s值减小；界面陷阱的存在将增加一个与cd并联的陷阱容，使s值增大；温度升高时，s值也将增大。为了提高mosfet的亚阈区工作速度，就要求s值越小越好，为此应当对mosfet加上一定的衬偏电压和减小界面陷阱。室温下s的理论最小值为60 mv/decade。
在大规模数字集成电路的缩小规则中，恒定电压缩小规则、恒定电场缩小规则等都不能减小s值，所以这些缩小规则都不适用，只有采用半经验的恒定亚阈特性缩小规则才比较合理。