(1)主存储器的两个重要技术指标
◎读写速度：常常用存储周期来度量，存储周期是连续启动两次独立的存储器操作(如读操作)所必需的时间间隔。
◎存储容量：通常用构成存储器的字节数或字数来计量。
(2)主存储器与cpu及外围设备的连接
是通过地址总线、数据总线、控制总线进行连接，见下图
主存储器与cpu的连接
◎地址总线用于选择主存储器的一个存储单元，若地址总线的位数k，则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1mb的存储单元。
◎数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。
◎控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。
(3)主存储器分类
◎按信息保存的长短分：rom与ram
◎按生产工艺分：静态存储器与动态存储器
静态存储器(sram)：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。
动态存储器(dram)：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。
静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表：
静态和动态存储器芯片特性比较
sram dram
存储信息 触发器 电容
破坏性读出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同时送 分两次送
运行速度 快 慢
集成度 低 高
发热量 大 小
存储成本 高 低
动态存储器的定期刷新：在不进行读写操作时，dram 存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容cs 上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新操作。