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nand flash和nor flash的区别
1、nor的读取速度更快，nand的写入速度更快。
2. nor 闪存有一个sram 接口，有足够的引脚来寻址并轻松访问其中的每个字节。 nand 设备使用复杂的i/o 端口串行访问数据，方法可能因产品或供应商而异。
3. nand闪存单元的尺寸小于nor。由于更简单的生产过程，nand结构可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量，从而降低价格。 nor闪存占据了1-16mb闪存市场的绝大部分，而nand闪存仅用于8-128mb的产品。这也说明nor主要用于代码存储介质。
4、nand闪存每块最大擦除次数为100万次，而nor闪存每块最大擦除次数为10万次。除了具有10 比1 块擦除周期的优势外，典型的nand 块大小比nor 设备小8 倍，并且每个nand 存储块在给定时间的擦除次数更少。
数据扩展：nand flash的数据以位的形式存储在存储单元中。一般来说，一个单元只能存储一位。这些cell以8或16为单位连接成位线，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，也就是nand device的位宽。 nand flash以page为单位读写数据，以block为单位擦除数据。
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