为了解释为什么mosfet栅极前要放100ω电阻以及为什么这个电阻值是100ω，我们需要先了解mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）的基本结构和工作原理。
mosfet是一种常见的晶体管类型，由p型衬底上的n型绝缘栅极和两个p型掺杂的扩散区组成。其中，栅极负责控制源极和漏极之间的电流流动。
在实际应用中，mosfet通常被用作电路开关或放大器。为了可靠地控制mosfet的导通和截止，我们需要连接一个适当的电阻到栅极前。
首先，为什么需要在mosfet栅极前放置电阻？放置电阻的目的是保护mosfet免受损坏，并防止意外电压或电流过大。这主要是基于以下几个方面的考虑：
1. 静电保护：mosfet是一种非常敏感的器件，容易受到静电放电的影响。静电放电可能会导致mosfet损坏，因此放置电阻可以限制静电电流，保护mosfet。
2. 过电压保护：当mosfet所连接的电路中出现过电压时，电阻可以起到限流作用，防止电流过大对mosfet造成损坏。
3. 控制输出电流：栅极前的电阻可以控制栅极驱动电荷的速度，从而调整mosfet的导通和截止速度。这对于确保mosfet正确工作非常重要。
接下来，我们来解释为什么电阻值一般选择100ω。实际上，电阻值的选择会根据具体的应用需求而有所变化，但常见的100ω电阻被广泛采用的原因主要有以下几点：
1. 驱动能力：100ω电阻可以提供足够的电流来驱动栅极，保证mosfet的正常工作。如果电阻值过大，可能会导致驱动能力不足，影响mosfet的性能。
2. 抗频率干扰：100ω电阻具有一定的阻抗，可以有效地阻止高频信号的干扰。这对于一些高频应用来说非常重要，可以提高信号的稳定性和可靠性。
3. 抗干扰能力：100ω电阻可以通过限制栅极前的电流流动来抑制外部噪声和干扰。这有助于提高系统的抗干扰能力，确保mosfet的正常工作。
需要注意的是，实际应用中，电阻值的选择可能会因具体的设计要求、电路参数等因素而有所变化。因此，在使用mosfet时，还需要根据实际情况进行合适的电阻值选择。
综上所述，为了保护和确保mosfet的正常工作，我们需要在栅极前放置电阻。100ω电阻的选择是基于驱动能力、抗频率干扰和抗干扰能力等因素的考虑。合理选择电阻值能够确保系统性能的稳定和可靠。在设计和应用中，我们应该根据具体需求来确定电阻值，并确保它能够满足设计要求和电路性能的需要。