1、结构
在一块高电阻率的n型硅半导体基片上，引出两个电极，第一基极与第二基极，这两个基极之间的电阻约为2—12kω。在两个基极之间，设法掺入p型杂质铝，引出电极成为发射极，由于只有一个pn结，故称单结晶体管。
2、特性
1）当q1断开q2闭合时，外加基极电压由rb1rb2分压，
ua=ηubb
2）当ubb断开，q1闭合加上ue时，二极管与rb1组成串联电路，发射极电压与电流的伏安特性如图所示。
3）管子加上一定的基极电压，ue从零开始增大，当小于ua时，二极管反偏，只有很小的反向漏电流；当ue再增大，二极管开始正偏，到峰值电压时，发射极电流显著增大，rb1减小，出现一个与常规相反的现象，电压随电流的增大而减小，即动态电阻为负值，这就是单结晶体管所特有的负阻特性。
4）随着电压的逐渐减小，小于谷点电压时管子将重新截止。