在一块掺杂浓度较低的p型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的n+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(sio2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。另外在衬底上也引出一个电极b，这就构成了一个n沟道增强型mos管。显然它的栅极与其他电极间是绝缘的。图 1(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由p(衬底)指向n(沟道)。p沟道增强型mos管的箭头方向与上述相反，如图 1(c)所示。