共发射极接法三极管的特性曲线，即
其中， ib是输入电流，vbe是输入电压，加在b、e两电极之间；ic是输出电流，vce是输出电压，从c、e两电极取出。
共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图1所示。
图1 共发射接法的电压电流关系
图2
1．输入特性曲线
简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论ib和vbe之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的pn结的伏安特性曲线不同。为了排除vce的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vce＝const(常数)。vce的影响可以用三极管的内部的反馈作用解释，即vce对ib的影响。
图3
共发射极接法的输入特性曲线见图2，其中vce＝0v的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vce≥1v时， vcb＝vce－ vbe＞0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， ic / ib增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vce再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。
输入特性曲线的分区：死区、非线性区、线性区。
2．输出特性曲线
共发射极接法的输出特性曲线如图3所示，它是以ib为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明。当vce＝0v时，因集电极无收集作用，ic＝0。当vce微微增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如vce＜1 v；vbe＝0.7 v； vcb＝ vce－vbe≤0.7v 。集电区收集电子的能力很弱，ic主要由vce决定。当vce增加到使集电结反偏电压较大时，如vce ≥1v，vbe≥0.7 v，运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后vce再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与vce轴基本平行的区域 (这与输入特性曲线随vce增大而右移的原因是一致的) 。
输出特性曲线可以分为三个区域：
饱和区--ic受vce显著控制的区域，该区域内vce的数值较小，一般vce＜0.7 v(硅管)。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。
截止区--ic接近零的区域，相当ib＝0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。
放大区--ic平行于vce轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7 v左右(硅管)