根据场效应管的类型及其特性，为设置合适的静态工作点，在输入回路和输出回路应分别加上合适的直流电源。表一中列出了各类fet对偏置电压的要求。在实际电路中，常采用自给偏压电路和分压式偏置电路。
表一 各类fet对偏置电压的要求
（1）自给栅偏压电路——只能用于耗尽型场效应管
（a）基本电路（b）直流通路
图1 场效应管自偏压电路
n沟道耗尽型绝缘栅场效应管的自给栅偏压电路如图1（a）所示。其直流通路如图1（b）所示。因栅极电流ig≈0，静态时栅极直流电位vg=0，且耗尽型场效应管即使在vgs=0时也存在导电沟道，所以id流过rs产生的直流压降vgs=vg-vs= -idrs，正好作为偏置电压。注意这种电路只适用于耗尽型场效应管，而不适用于增强型场效应管。这是因为图e4a20231001z 01中若n沟道耗尽型绝缘栅场效应管换成n沟道增强型绝缘栅场效应管，则因n沟道增强型绝缘栅场效应管要求vgs>0,而该电路不能提供正确的偏置条件，不适用于增强型场效应管。双极型三极管显然也不能采用这种偏置电路。
（2）分压式自偏压电路——适用于增强型场效应管
图2（a）是n沟道增强型场效应管构成的共源放大电路，静态偏置电路如图2（b）所示，称为分压式自偏压电路。
（a）基本电路（b）直流通路
图2 分压式自偏压电路
因为场效应管栅极电流近似为零，所以rg3内无电流流过，静态时栅极电压为固定栅压：
而源极上的电压为自给偏压，于是偏置电压为：
电路中也可短接，不影响静态工作点，但加上可提高放大电路输入电阻。