（１）v(br)cbo────e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是icbo。当反向电压vcb增至一定程序时，icbo急剧增大，最后导致击穿。
（２）v(br)ceo--b极开c-e极之间的反向击穿电压。此时流经c-e极的是iceo。当反向电压vce增加到iceo开始上升时的vce就是v(br)ceo。应该注意，在此情况下，当集电结开始击穿时，ic增大，同时发射结分到的正向电压增大，使e区注入b区的电子增多，ie增大。ie的增大又将使ic进一步增大。所以，这里有一个培增效应，而最后使c-e极之间击穿电压v(br)ceo要比v(br)cbo小即v(br)ceo>v(br)cbo。
（３）v(br)cer和v(br)ces--b-e极之间接电阻（ｒ）和短路（ｓ）时的v(br)ce。在b-e极之间接电阻r后，发射结被分流。当集电结反向电流icbo流过b极时，由于分流而使流过发射结的电流减少。所以，在上面（２）中所说的倍增效应减小，为了进入击穿状态，必须加大vce。也就是说，v(br)cer>v(br)ceo。电阻ｒ愈小，它对发射结的分流作用愈大，所以进入击穿状态时，所需的vce愈大。当r＝0并略去基区的体电阻rbb`，则发射结相当于短路。此时v(br)cbo≈v(br)ces。