igbt，即集成门极场效应晶体管，是一种在功率电子设备中广泛使用的半导体器件。igbt结构与mosfet相似，但具有功率mosfet和普通bjt的特点。如今，人们在各种应用中广泛使用igbt，包括汽车、电力工业、工控系统、ups和风能、太阳能等领域。
igbt的工作原理是通过控制局部电子流的方式来控制主电流。它可以看作是一个bjt和mosfet的混合结构，其控制端相当于bjt的基极，主电流通过的区域相当于bjt的集电极而mosfet的漏极。
相对于mosfet和bjt，igbt有很多优点。具体来说，它具有低电阻、高电流承载能力、高速开关、低电压下饱和电压低、图形化设计等特点。另外，igbt还可以实现高压控制和大电流控制，可在高功率设备的电子控制中更加普遍和便捷地应用。
在实际应用中，igbt通常可以广泛地用于变频器、直流电源以及各种控制电路中，可以起到很好的功效。igbt的特点使用普遍，它的使用逐渐得到了工业界的普及。同时，全球各大半导体厂商积极开发各种igbt产品，使得人们在igbt应用的同时，可以选择价格适中、性能优异的igbt产品，对于igbt市场带来了一定程度的竞争。
虽然igbt在实际使用时非常方便，但使用它时也需要注意一些问题。首先，在高温、高电压或高电流条件下使用时，设备应执行保护措施，以确保设备的可靠性和持久性。其次，在开启和关闭时应注意过电压，这样可以避免损坏设备。最后，在设计电路时，一定不要忽略环境温度、电源变异和线路交叉等因素的影响。
尽管igbt的使用有一定的限制，但随着科学技术的发展，igbt设备的不断完善和人们对于igbt性能理解的不断深入，其应用也会越来越广泛。所以，igbt作为一种功率电子器件，在今后的应用过程中将会发挥越来越重要的作用。