场效应管的电流控制机理与双极型晶体管不同，它是由电场来控制载流子导电通道的大小来控制电流大小的。对结型场效应管，这个电场是反向ｐｎ结的内电场；对ｍｏｓ管，则是由外加栅压和衬底之间形成表面电场。以ｎ沟道结型场效应管为例。在 时，只要加上正的漏-源电压vds，ｎ型半导体中的多数载流子--自电子就由源极通过ｎ型半导体向漏极漂移，或者说有漏极电流id从漏极流向源极。这个ｎ型半导体形成了自由电子或电流的通道，叫做沟道。沟道的厚薄，或者说沟道的电阻受ｐ型栅极和ｎ型沟道间反向ｐｎ结的内电场，也就是栅源电压vgs大小的控制因为电流id是由ｎ型半导体中多数载流子的漂移形成，所以场效应管是多子导电（即使在ｍｏｓ管中也是这样）。