1、bjt高频小信号模型的提出：
根据bjt的特性方程，推导出的h参数低频小信号模型在高频运用的情况下，其物理过程有些差异，主要表现在bjt的极间电容不可忽略。为此，我们从bjt的物理机构出发加以分析，再用电阻、电容、电感等电路元件来模拟其物理过程，从而得出bjt的高频小信号模型，如图1所示。现就此模型中的各个元件参数作一简要的说明。
2、bjt的高频小信号模型：
在图示的bjt的高频小信号模型中
图1 bjt的高频小信号模型
rbb¢ ——基区体电阻。
rb¢e ——发射结的小信号电阻，由于发射结正偏，rb¢e很小。
cb¢e ——发射结电容。
rb¢c ——集电结反偏小信号电阻（图中未画出）。
cb¢c——集电结电容。
——受控电流源 ，它受 所控制。gm称为互导，定义为 。
rce ——受控电流源的电阻（图中未画出）。
在高频情况下，rb¢c 的数值很大，可以忽略不计； 一般 ，因此，rce也略去。