场效应管（mosfet）是一种常用的半导体器件，被广泛应用于电子电路中的开关、放大器和整流器等方面。其工作原理是通过改变栅极电压的大小而控制了源极和漏极之间的电场强度，从而使得漏电流得以控制。下面是关于mosfet工作原理的详细介绍和举例说明：
mosfet的基本结构包括栅极、源极和漏极。其中栅极是一层薄膜，被夹在源极和漏极之间的二氧化硅层上。mosfet的工作原理是，当栅极通入一个电压时，栅极和源极之间的电场就会受到影响，从而控制电荷在栅极和二氧化硅之间的分布。当栅极电压为0v时，漏极上不会有电场，导致电荷容易流动，此时mosfet处于导通状态。当栅极电压增加时，二氧化硅层上的电荷分布会改变，并在源极和漏极之间形成一个反向电场，从而减慢电荷在漏极和源极短路的速度，此时mosfet处于截止状态。
例如，一个mosfet可以用作电子开关，在电路中当控制电压上升时开关关闭，而在控制电压下降时则开关打开。这个开关可以用于控制其他电路元件（例如led灯或电机）的通断。在深度电子电路中，mosfet的作用十分重要。