为了得到更佳性能的磁控溅射cu-w薄膜,某大学新材料研究所采用kri考夫曼射频离子源rficp380辅助磁控溅射技术在基片上沉积cu-w膜.
kri射频离子源rficp380技术参数:
射频离子源型号
rficp380
discharge阳极
射频rficp
离子束流
>1500 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
30 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
15-50 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
39 cm
直径
59 cm
中和器
lfn 2000
上图为磁控溅射系统工作示意图
kri离子源的功能实现了更好的性能,增强的可靠性和新颖的材料工艺.kri离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性,而这些特性在不使用kri离子源技术的情况下是无法实现的.因此伯东的kri考夫曼射频离子源rfcip380被客户采用作为4, 5溅射离子源.
客户材料:
基片为φ25mmx4mm的玻璃片,w靶纯度99.9%,尺寸φ76mmx4mm,铜靶纯度99.99%,尺寸φ76mmx4mm,工作气体为纯度99.99%的氩气.
运行结果:
当w含量在11.1%时,cu-w薄膜具有好的硬度和耐磨性.
伯东是德国pfeiffer真空泵,检漏仪,质谱仪,真空计,美国kri考夫曼离子源,美国hva真空阀门,美国intest高低温冲击测试机,美国ambrell感应加热设备和日本ns离子蚀刻机等进口品牌的代理商.
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上海伯东:罗先生