当ugs=0时，就有导电沟道存在，故而这种管子也属于耗尽型场效应管。
n沟道结型场效应管：
两个p+区中间的n型半导体，在加上正向uds电压时就有电流流过，故称为n沟道。
（一）工作原理
1. ugs对导电沟道的影响：
栅源级间加反向电压
改变ugs的大小，就可以改变沟道宽窄，即改变沟道的电阻，从而控制id的大小。这与绝缘栅场效应管是一样的。
2. uds对导电沟道的影响：
漏源级间加正向电压
漏级电位最高，pn结最宽，源级电位最低，pn结最窄。随着uds增大，pn结加宽，将产生预夹断。
uds再增大，夹断区向下发展。
（二）特性曲线：