半导体应变片以压阻效应为主，半导体是掺杂的单晶硅、锗、锑化铟等。几种常用半导体材料的特性见表9。5-5。尤其是以单晶硅zui为常见，力作用在单晶硅上，由于压阻效应，单晶硅电阻发生变化，单晶硅电阻的变化量与其所在的晶面位置有关，为提高传感器的灵敏度，应在压阻系数的晶面上制作压敏电阻。常用的晶面有[111]，[110]，[100] 。
表9。5-5
名称
电阻率ρ/ω.cm
弹性模时e/×1011pa
灵敏度
晶面
硅
p型
7．8
1．87
175
[111]
n型
11．7
1．23
-132
[100]
锗
p型
15．0
1．55
102
[111]
n型
16．6
1．55
-157
[111]
n型
1．5
1．55
-147
[111]
锑化铟
p型
0．54
-45
[100]
p型
0．01
0．745
30
[111]
n型
0．013
74．5
[100]
压阻式压力传感器的结构，其核心为一块有四个扩散电阻的单晶硅膜片，用一个圆形环固定，将两个气室隔开，两个气室分别与被测压力相通，膜上布四个扩散电阻，组成一个测量电桥。