1、栅—源直流输入电阻rgs
在漏-源两极短路的情况下，外加栅源直流电压与栅极直流电流之比即为栅—源直流输入电阻rgs。由于mosfet是电压控制元件，所以rgs很大，一般大于109ω，这是mosfet的优点之一。
2、栅一源击穿电压ugs(br)
栅一源击穿电压是在增大mosfet的ugs的过程中，绝缘层击穿，使ig迅速增大时的ugs(br)值。
3、最大漏极电流idm和最大耗散功率pdm
idm和pdm都是mosfet的极限参数，idm是管子正常工作时漏极电流的上限值。最大耗散功率pdm决定于管子允许的温升。
4、低频跨导gm
低频跨导是在uds为某一固定值时，漏极电流微小变化δid和对应输入电压变化量δugs之比，即
其单位常采用和ms。它的大小是转换特性曲线在工作点处的切线的斜率，工作点位置不同，其数值也不同。低频跨导gm表示ugs对id控制作用的强弱，是衡量mosfet放大能力的参数。