本文为大家介绍闪存2d和3d(3d闪存和mlc闪存)，下面和小编一起看看详细内容吧。
随着最新制程进入1xnm时代，不少巨头将闪存容量的进一步增长寄托在了新的3d堆叠技术上。三星目前在这方面应该是走得最远的，但是这种行业级的技术突破又怎能少得了黑科技不少的英特尔呢？今天英特尔终于公布了自己的3d nand闪存。
近日，英特尔副总裁兼非易失性闪存解决方案事业部总经理rober crooke首次向投资者公开展示了英特尔3d nand闪存。
据他介绍，intel 3d闪存采用32层堆叠（与三星二代相同），其中约有40亿个孔进行垂直互连，最终实现单核容量256gb（32gb），更高比普通的二维闪存。加倍。 intel目前使用的是mlc闪存颗粒，不过已经在设计tlc版本，单核容量可以轻松达到384gb（48gb）。
intel还声称，他们可以在2毫米的厚度内实现1tb的容量，相当于一张sd卡那么大，两年内就可以实现10+tb容量的固态硬盘。 intel计划在2015年下半年推出基于3d闪存的固态硬盘，价格将极具竞争力。这种闪存将在美国犹他州生产，是英特尔和美光的合资企业，采用20+nm工艺，目前还不是最新的16nm。
小编点评：虽然固态硬盘的普及速度很快，但容量远小于普通硬盘这一点毋庸置疑一直是普及过程中最大的问题。并且通过堆叠技术，nand闪存的容量可以轻松翻倍，固态硬盘直接超越普通硬盘的容量也不是没有可能！
延伸阅读：1tb硬盘到底有多大？
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