k4a8g165wc-bctd,中文资料,数据手册

发布时间:2023-08-17
k4a8g165wc-bctd是一款高性能、高可靠性的ddr3l sdram芯片。该芯片由三星电子公司生产,采用了最新的半导体工艺和成熟的设计技术,具有优异的速度、密度、能效和集成度等特点。本文将介绍k4a8g165wc-bctd的主要特性、应用场景和技术参数等内容,以供读者参考。
一、主要特性
(1)高速度:k4a8g165wc-bctd支持数据传输速度高达1600mbps,具有12.5%更高的性能,与传统的ddr3 sdram相比,在数据传输效率方面有了极大的提升,适合处理大规模数据和高频应用,并能够提供更流畅、更快速的数据处理速度。
(2)高密度:k4a8g165wc-bctd的存储密度为8gb,每颗芯片可存储1gb的数据,其拥有更加高效的存储能力,可以用于大型数据存储场景和多种存储器的应用领域。
(3)高芯片品质:k4a8g165wc-bctd采用三星电子公司自主研发的d-die工艺和先进的制造技术,保证了芯片的高品质和可靠性,可以提供更加稳定和安全的数据存储服务,为用户提供无缝的数据保障。
二、应用场景
k4a8g165wc-bctd广泛应用于各种高性能计算机和服务器领域。例如,在大数据应用领域,如云计算、大规模数据分析、人工智能、高清视频编码和解码、图像识别等,k4a8g165wc-bctd都具有极高的适用性和稳定性,为业界提供了重要的技术支持。
同样,在虚拟化环境下,如虚拟桌面、虚拟机和网络存储等,k4a8g165wc-bctd也具有出色的优势,可以为虚拟化环境提供高速的数据访问和处理能力,为用户提供高效、快速的it应用服务。
此外,k4a8g165wc-bctd还广泛应用于医疗、航空航天、通信等领域,为这些行业的高性能应用提供了强有力的支持,展现了其卓越的性能和应用价值。
三、技术参数
(1)芯片密度:8gb
(2)数据传输速度:1600mbps
(3)供电电压范围:1.35v/1.5v
(4)fda数目:16个
(5)时序参数:tcl、trcd、trp、tras
(6)封装类型:fbga122-ball
(7)工作温度范围:0~85℃
(8)rohs兼容性:有
(9)应用领域:计算机、服务器、存储器等
总之,k4a8g165wc-bctd是一款高性能、高可靠性的ddr3l sdram芯片,适用于各种高性能计算机和服务器、虚拟化环境、大数据应用和高性能存储器等领域,为这些应用提供了强有力的技术支持和保障。三星电子公司通过不断创新和突破,在半导体领域中取得了显著的成就,致力于为客户提供最佳的产品和服务,构建更加完善的数字化生态系统。
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