mos场效应管也被称为mos fet，即metal oxide semiconductor field effect transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型mos场效应管。它可分为npn型和pnp型。npn型通常称为n沟道型，pnp型通常称p沟道型。由图可看出，对于n沟道型的场效应管其源极和漏极接在n型半导体上，同样对于p沟道的场效应管其源极和漏极则接在p型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称场电压）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释mos场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含一个p—n结的二极管的工作过程。，我们知道在二极管加上正向电压（p端接正极，n端接负极）时，二极管导通，其pn结有电流通过。这是因在p型半导体端为正电压时，n型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的p型半导体端，而p型半导体端内的正电子则朝n型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（p端接负极，n端接正极时，这时在p型半导体端为负电压，正电子被聚集在p型半导体端，负电子则聚集在n型半导体端，电子不移动，其pn结没有电流流过，二极管截止。
对于场效应管在栅极没有电压时，有前面的分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态,当有一个正电压加在n沟道的mos场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时n型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个n沟道之间的p型半导体中.从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想象为两个n型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为他们之间搭了一座桥梁，该桥梁的大小由栅压决定。
下面简述一下用c—mos场效应管（增强型mos场效应管）组成的应用电路的工作过程.电路将一个增强型p沟道mos场校官和一个增强型n沟道mos场效应管组合在一起使用。当输入端为底电平时，p沟道mos场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，n沟道mos场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，p沟道mos场效应管和n沟道场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0v，通常在栅极电压小于1v到2v时，mos场效应管即被关断。不同场效应管关断电压略有不同。也以为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路
由以上分析我们可以画出原理图中mos场效应管部分的工作过程.工作原理同前所述，这种低电压、大电流、频率为50hz的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。这里需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接。